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德国巴鲁夫BALLUFF电感式接近传感器,BKS-S33M-00,进口巴鲁夫接近传感器
集成传感器是用标准的硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通�；菇糜诔醪酱肀徊庑藕诺牟糠值缏芬布稍谕恍酒�。
薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底（基板）上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。
厚膜传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。
陶瓷传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺（溶胶-凝胶等）。
完成适当的预备性操作之后，已成形的元件在高温中进行烧结。厚膜和陶瓷传感器这二种工艺之间有许多共同特性，在某些方面，可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。
每种工艺技术都有自己的优点和不足。由于研究、开发和所需的资本投入较低，以及传感器参数的高稳定性等原因，采用陶瓷和厚膜传感器比较合理。
balluff BTL5-S172-M1830-B-KA05
balluff BTL5-E10-M1000-P-S32
balluff BTL2-GS10-0400-A
balluff BKS-S105-CP-02
balluff BTL5-S172-M0300-B-KA05
balluff BTL5-E10-M1700-P-S32
balluff BTL2-GS10-0450-A
balluff BKS-S103-CP-02
balluff BTL5-S172-M0390-B-KA05
balluff BTL5-S172-M0550-B-KA05
balluff BTL5-F-2814-1S
balluff BTL5-T110-M0355-B-S103
balluff BTL5-E10-M0750-K-SR32
balluff BTL5-A11-M0360-P-S32
balluff BTL5-E10-M0550-B-S32
balluff BTL5-T110-M0200-P-S103
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公司;20250402234903-cszji-6hify.cgrld.cn
联人；单荣兵/余娟
德国巴鲁夫BALLUFF电感式接近传感器,BKS-S33M-00,进口巴鲁夫接近传感器
balluff BTL5-E10-M0650-P-S 32
balluff BTL5-E17-M0100-P-S32
balluff BES M08MI-PSC15B-BV03
balluff BES M18MI-PSC50B-S04G
balluff BES 516-366-S 4-C
balluff BES 516-355-B0-C-PU-05
balluff BCC M425-0000-1A-004-PX0334-030
balluff BES M12MI-PSC40B-S04G
balluff BLS 18M-XX-1P-E5-L-S 4
balluff BES R01ZC-PAC70B-BP00 2-GS04
balluff BLE 18M-PO-1P-E5-C-S 4
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balluff BTL5-E10-M0155-B-KA05
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balluff BTL5-E10-M0900-P-S32
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balluff BTL5-S173-M0700-B-S32
balluff BTL5-E17-M0300-K-K02
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balluff BTL5-A11-M0050-P-S32
balluff BTL5-E10-M2550-B-S32
balluff BTL5-T110-M0500-P-S103
销售部